在電子元件制造的高要求領(lǐng)域，我們的電子級超純水機(jī)將成為您的得力助手。這款超純水機(jī)采用先進(jìn)的多級過濾技術(shù)和離子交換工藝，能夠高效去除水中的顆粒雜質(zhì)、金屬離子、有機(jī)物以及微生物等，為您提供電阻率高達(dá) 18.2 MΩ?cm（25℃）的超純水。

 

使用滲源純水制造的的電子級超純水機(jī)，您將徹底告別因水質(zhì)問題而導(dǎo)致的電子元件物理性損傷和化學(xué)性干擾。無論是在光刻工藝中配制光刻膠，還是在蝕刻和清洗過程中，超純水都能確保高精度制程的順利進(jìn)行，有效提升產(chǎn)品的良品率和性能穩(wěn)定性。

 

 

電阻率：這是衡量純水純度的關(guān)鍵指標(biāo)之一，一般要求電阻率達(dá)到 18.25 MΩ?cm（25℃）及以上。電阻率越高，說明水中的導(dǎo)電離子越少，水的純度越高。對于一些對水質(zhì)要求極高的電子工藝，如集成電路制造，可能要求電阻率更高。

 

總有機(jī)碳（TOC）含量：TOC 反映了水中有機(jī)物質(zhì)的含量。電子級純水的 TOC 含量通常要求非常低，一般要小于 10 ppb=1μg/L（十億分之一），而成都滲源純水已經(jīng)能做到1ppt=1ng/L（萬億分之一）。有機(jī)物質(zhì)可能會在電子元件表面形成碳膜，影響元件的性能和可靠性。

 

顆粒物質(zhì)：水中的顆粒物質(zhì)可能會附著在電子元件表面，導(dǎo)致元件短路或其他故障。因此，電子級純水對顆粒物質(zhì)的含量有嚴(yán)格限制。通常要求顆粒尺寸大于 0.1 μm 的顆粒數(shù)要極少，每毫升水中的顆粒數(shù)可能要求在幾十個以下。

 

微生物含量：微生物的存在會對電子元件的生產(chǎn)和性能產(chǎn)生負(fù)面影響。電子級純水的微生物含量要求非常低，一般細(xì)菌含量要低于 1 CFU/mL（colony-forming units per milliliter，每毫升形成菌落的單位數(shù)）。

 

金屬離子含量：各種金屬離子的存在會影響電子元件的性能和可靠性，特別是對于晶元薄片和超大規(guī)模集成電路等高精度電子器件。如：硅、砷、鎵、碲、鎘、鈉、鉀、鐵、銅、等金屬離子的含量都要控制在極低的水平，通常要求每升水中的金屬離子含量在幾微克甚至更低。

 

 

溶解氧含量：溶解氧可能會引起電子元件的氧化，對一些對氧化敏感的電子工藝產(chǎn)生不利影響。因此，電子級純水的溶解氧含量也需要控制在較低水平，具體要求根據(jù)不同的電子工藝和生產(chǎn)要求而定。

 

pH 值：純水的 pH 值應(yīng)接近中性，一般要求在 6.5 - 7.5 之間。pH 值的偏差可能會影響電子元件的清洗效果和化學(xué)穩(wěn)定性。

 

中國的電子級純水標(biāo)準(zhǔn)主要參照 GB/T 11446.1-2013 系列標(biāo)準(zhǔn) 。不同的電子行業(yè)領(lǐng)域以及不同的生產(chǎn)工藝環(huán)節(jié)，對純水的具體要求可能會有所差異，但總體上都需要滿足高純度、低雜質(zhì)的要求。

 

成都滲源超純水機(jī)具有極佳的耐化學(xué)特征，能夠抵抗酸、堿、強(qiáng)氧化劑和鹵素的腐蝕，通殺具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，耐高溫、阻燃性、耐候性與耐老化性。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中軟管用作透明管道，在晶元清洗設(shè)備中能抵抗化學(xué)試劑的腐蝕，確保設(shè)備的長期穩(wěn)定運(yùn)行，此外其內(nèi)壁光滑不易集聚污垢和顆粒物，有助于減少污染風(fēng)險(xiǎn)。提高晶元的質(zhì)量。

 

 

成都滲源一般會使用雙級反滲透后純水儲存于FPR材質(zhì)的氮封水箱，氮封水箱使用氮?dú)夥忾]系統(tǒng)通過向水箱內(nèi)部充滿高純度的氮?dú)猓渲饕饔檬欠乐箍諝庵械碾s質(zhì)進(jìn)入水箱，從而保持物質(zhì)的純度。氮?dú)饽軌蛴行У馗綦x外界空氣，防止止水中溶解氧、‌二氧化碳等氣體的溶解和氧化反應(yīng)，從而保持超純物質(zhì)的純度和穩(wěn)定性。‌此外，氮封裝置通常由快速泄放閥及微壓調(diào)節(jié)閥兩大部分組成，以確保水箱內(nèi)的壓力穩(wěn)定，防止因壓力變化導(dǎo)致的物質(zhì)質(zhì)量下降。